изображение Установка нанесения покрытий погружением микрометрического уровня  PTL-UMB
Новинка
Производитель: 
MTI Corporation
Страна: 
США
Артикул: 
PTL-UMB
Стоимость: 
по запросу
Под заказ
PTL-UMB - Программируемая система  нанесения покрытий с камерой сушки и цифровым  контроллером. Обеспечивает скорость погружения/выемки образца в диапазоне от 1 до 500 мкм/сек.  Контроллер позволяет задавать скорость погружения и подъёма, а также глубину погружения. Хорошее решение для нанесения оптических или эпитаксиальных пленок из жидкой фазы в лабораторных условиях.
 
Особенности эксплуатации:
Максимальная рабочая температура печи до 200°C;
Максимальный размер образца 75х50мм, вес до 250г
Емкость для раствора 150мл.
Габариты сушильной печи 406х406х610мм
 
Технические характеристики:
• Дистанция перемещения:  0-60мм (задаваемая)
Печь: 
Напряжение:  220В, 50Гц
Размер камеры:  280ммх280х280мм
Материал камеры:  нержавеющая сталь
Диапазон температур:  50-200°C
Габариты сушильной печи:  406х406х610мм
• Скорость погружения/выемки:  1-500 мкм/сек, программируемая
• Контроллер:  Цифровой сенсорный 6 дюймовый контроллер
• Емкость для растворов:  В комплекте одна ванна объемом 150мл
• Держатель емкости:  Ванна содержащая раствор для нанесения помещается в специальный слот
• Держатель образца:  Держатель с двумя винтами, для крепления образца и перемещения вверх и вниз по направляющим
• Максимальный размер образца:  75х50мм
• Привод погружения/выемки:  Шаговый двигатель
• Электропитание:  ~208-240 В, 50 Гц
• Средняя мощность:  600 Вт
• Максимальный потребляемый ток:  5 А 
• Сертификация :  CE сертификация
• Размеры:  440х460х10400 мм
• Вес:  46 кг
• Гарантия:  1 год
 
Рекомендации по применению:
Для повышения качества нанесения, рекоммендуется очистка подложки плазмой или плотным УФ излучением;
Для увеличения гомогенности раствора или дисперсности нано-порошков, рекоммендуется использовать УЗ смеситель
После помещения раствора в печь и достижения заданной температуры, рекоммендуется выдержать его при этой температуре не менее 30 минут.